殺人不見血

繼美國記憶體廠美光科技（Micron）量產全球首款232層儲存型快閃記憶體（NAND Flash），南韓記憶體廠SK海力士（SK hynix）2日宣布，已成功研發出最先進的238層NAND晶片，並計畫2023年上半年大規模量產。

SK海力士表示，已順利研發出238層堆疊的三層儲存單元（TLC）4D NAND Flash，並將樣品送交給客戶，這款面積最小的NAND記憶體將明顯改善生產效率、數據傳輸速度、功耗等特性。

2020年12月，SK海力士完成176層NAND Flash研發，時隔1年7個月，再次完成新一代技術研發，238層NAND Flash達到業界最高堆疊層數，同時實現全球最小面積。

若與上一代176層NAND Flash相比，238層NAND Flash晶片容量增加34%，傳輸速度提升50%達2.4Gbps，耗能降低20%，更符合ESG標準。

SK海力士指出，238層堆疊NAND Flash計畫先供應給PC儲存設備的cSSD（client SSD）使用，隨後將導入至智慧型手機和高容量服務器SSD等。

此外，238層堆疊的NAND Flash產品，除了有512GB容量之外，SK海力士預計明年再發布1TB的全新238層NAND Flash產品，容量將是現有的兩倍。

（審核：呂俊儀）

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